IDD12SG60CXTMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IDD12SG60CXTMA1 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | DIODE SIL CARB 600V 12A TO252-3 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.1 V @ 12 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3 |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Serie | CoolSiC™+ |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 0 ns |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 100 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 12A |
Kapazität @ Vr, F | 310pF @ 1V, 1MHz |
Grundproduktnummer | IDD12SG60 |
IDD12SG60CXTMA1 Einzelheiten PDF [English] | IDD12SG60CXTMA1 PDF - EN.pdf |
INFINEON New
DIODE SIL CARB 600V 12A TO252-3
DIODE SIL CARB 600V 10A TO252-3
DIODE SIL CARB 600V 10A TO252-3
INFINEON TO252
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IDD12SG60CXTMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|